一、真空懸浮熔煉爐設(shè)備簡(jiǎn)介
充分利用了電磁感應(yīng)的原理，利用分瓣水冷銅坩堝使物料懸浮脫離坩堝，達(dá)到高溫熔化不污染物料的目的，應(yīng)用于高溫合金、高熵合金、活潑金屬的冶煉。 主要用來制取高熔點(diǎn)、高純度和極活潑的金屬，在冶金和新材料制備等許多重要領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，顯示出良好的應(yīng)用前景。
二、真空懸浮熔煉爐設(shè)備原理
真空磁懸浮熔煉方法，是通過高頻或中頻交變磁場(chǎng)，在金屬熔煉中形成與重力相抵消的電磁力，使熔體懸浮，與坩堝內(nèi)壁脫離方法是一項(xiàng)集電磁學(xué)、流體學(xué)、熱力學(xué)、力學(xué)、物理化學(xué)及冶金等多學(xué)科于一體的綜合冶金技術(shù)。因此受到了人們廣泛的觀注，在許多材料制備領(lǐng)域得到應(yīng)用。由于磁懸浮的作用，使熔體與坩堝內(nèi)壁脫離接觸，這樣熔體與坩堝壁之間的散熱行為由傳導(dǎo)散熱改為輻射散熱，從而導(dǎo)致散熱速度聚減，使熔體可達(dá)到很高的溫度（1700～2500℃），宜于熔煉高熔點(diǎn)金屬或其合金。更重要的方面是：熔煉時(shí)爐料的懸浮將有效防止?fàn)t料與坩堝壁接觸所帶來的污染。宜于獲得高純度或極活潑的金屬。
三、主要技術(shù)參數(shù)
1·額定功率：≤150-200Kw
2·容量（以鐵計(jì)）：水冷銅坩堝， 1000g
3·輸入電源：3 相、 380 ± 10 ％、 50Hz
4·冷態(tài)極限真空度：6.67×10E-4Pa
5·熔煉溫度≥2100℃（根據(jù)材料熔點(diǎn)不同熔煉溫度不同）
6·水冷銅坩堝≤¢100 熔煉溫度低于2100度的金屬合金（根據(jù)熔煉材料定）
7·可充保護(hù)氣≤0.03Mpa
8·控制方式：操作模擬屏+PLC,配置手動(dòng)操作按鈕
9·操作模式：主要閥門氣動(dòng)、電動(dòng)
四、特點(diǎn)和功能：
1、在熔煉過程中可在不破壞熔煉室真空情況下進(jìn)行測(cè)溫、取樣、搗料、觀察、補(bǔ)加料和合金成份調(diào)整等。與此同時(shí)可通過充氣閥充入惰性氣體以控制爐內(nèi)的壓力和氣氛。澆鑄可澆一錠和多錠及裝入預(yù)熱保溫錠模、水冷錠模、砂型箱等以及進(jìn)行澆鑄。
2、加熱電源可采用IGBT中頻電源，IGBT中頻電源是采用串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)電源，逆變器件為新型IGBT模塊，其主要優(yōu)點(diǎn)有以下幾下方面：
①逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能10%左右。
②功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.9，無功損耗小，此部分比傳統(tǒng)可控硅中頻電源節(jié)能3%~5%。
③高次諧波干擾小： IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
④可恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的*性，熔化速度快，減少爐料元素?zé)龘p少，降低成本。
